一、影（yǐng）響蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄（báo）膜性能的因素

蒸鍍（dù）基（jī）膜、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及蒸（zhēng）鍍塗層（céng）的組成、蒸鍍層的厚度等，都可能對（duì）蒸（zhēng）鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的（de）性能產生巨大的影響（xiǎng），主要可以列舉如下。www.xbbg.cn南京91视频入口精工阻隔膜生產線

1.基材的選擇性
如前所述，蒸（zhēng）鍍型氧化矽阻隔（gé）性包裝薄膜的阻隔性依（yī）靠於SiOx塗層，因此在蒸煮（zhǔ）處理過（guò）程中（zhōng），不能破壞該塗層。蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜通常與其他薄膜複合，製（zhì）造蒸煮（zhǔ）薄膜，選擇蒸煮基材應當注意如下幾個（gè）問（wèn）題。

（1)塑（sù）料薄膜的類型

蒸（zhēng）鍍（dù）的氧化矽膜與塑料薄（báo）膜之間的黏合牢（láo）度與塑料基膜（mó）種類之間有較大的（de）關係，PET、PVC等極性較大的薄膜與氧化矽間的黏合性較佳，而非極性的薄膜，與氧化（huà）矽間（jiān）的黏合力則比較差。

（2)塑料薄膜表麵狀態

蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄（báo）膜（mó）的阻隔性，除了受蒸（zhēng）鍍層的厚（hòu）度影響之外，更大程度上決定（dìng）於氧化矽鍍層的均勻性。裂縫、針孔等缺欠，會導致蒸鍍型氧化矽阻隔（gé）性包裝薄膜的阻隔性明顯下降，缺陷的形成除了（le）蒸鍍層本身的化（huà）學成分與結構之外，所用基膜的表（biǎo）麵平滑性，也（yě）是（shì）一個重要因素，粗糙度（dù）越大，越容易造成蒸鍍缺陷（xiàn），但（dàn）適量的粗糙度會使蒸鍍層和基（jī）膜的表麵之間形成（chéng）物理錨接，改善（shàn）層間黏合力。

（3)塑料薄膜的表麵（miàn）預處理狀況

為了得到優質的蒸鍍薄膜，對基膜進（jìn）行適度的（de）表麵電暈（yūn）處理是十分必要（yào）的。塑料薄膜經過表（biǎo）麵電暈處理，可在其表（biǎo）麵形（xíng）成氧化層（通過交聯、臭氧化、羧基化、硝基化等多種複雜的化學反應，將氧、氮等原子及原子團引入到塑料薄膜的表麵上），增大基膜與蒸鍍塗層之間的結合力。在預處理設備一定的（de）情況下，如（rú）果預處理時間不足，表麵改性不充分，將導致基膜與塗層之間的結合牢度下降；預處理時間過長，可能引起基膜較深層次（cì）的（de）界麵弱化（huà），產（chǎn）生基膜自（zì）身的弱界麵層，也會引（yǐn）起基材表麵和蒸鍍層間的結合力（lì）下降。
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2.蒸鍍工（gōng）藝條件對蒸鍍型氧化矽阻（zǔ）隔性包裝薄（báo）膜性能的影（yǐng）響

不論采（cǎi）用物理（lǐ）蒸鍍或（huò）者化學蒸鍍，蒸鍍工藝條件（jiàn）都可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的性能產生顯著的影響，因此（cǐ）應當盡可能采（cǎi）用（yòng）有利（lì）於提高蒸鍍薄膜阻隔性的工藝條件。

（1)采用物理蒸鍍時，

真空度（dù）的高低（dī）、基材薄膜的溫度（dù）、電子槍（qiāng）的功率、蒸鍍原料SiO2的形狀、真空室中氧氣導入的速度（dù）、蒸鍍塗層的厚度（決定於蒸鍍時間與蒸發功率）等均會影響最終產品的性能。

①蒸鍍時真空度（dù）越高，越有利於SiO2的蒸（zhēng）發，製得的蒸鍍膜的質量越高。

②蒸鍍時塑料基膜的溫度高，有利於蒸發的（de）SiO,在塑料基膜上（shàng）沉積、形成致密的塗層並有（yǒu）利於提高蒸鍍層與塑料基膜間的黏結度，因此適當提高塑（sù）料基膜的溫度，有利於提高蒸鍍薄膜（mó）的質量。

③采用電（diàn）子槍轟擊、蒸發SiO2時，宜使用塊狀的SiO2,因為粉（fěn）狀的SiO2在受電子槍（qiāng）轟擊時，易產生粉末濺射現象，影響蒸鍍（dù）膜的質量，而粉狀SiO2則有利於（yú）電阻加熱蒸發。

④氧氣的導入速度影響（xiǎng）蒸鍍（dù）層的組成（chéng），即SiOx中Si原子數與0原子數的比值，氧的量越大，即x的值越大，蒸鍍層向透明性提高的方向移動，但阻隔性（xìng）有（yǒu）降（jiàng）低的趨勢。當x等於2時，得（dé）到阻隔性能差的、無色透明（míng）的蒸鍍層，通常x控（kòng）製在1.5~1.8之（zhī）間以獲得兼具高阻隔性及良好透明性的蒸鍍氧（yǎng）化（huà）矽薄膜。www.xbbg.cn南京91视频入口精工阻隔膜生產線

蒸（zhēng）鍍層的厚度增加，蒸（zhēng）鍍膜的阻隔性增加，但當蒸鍍（dù）層的厚度超過50nm時，蒸鍍層的厚度再進一步增大，蒸鍍膜的阻隔性基本保持不變，因此（cǐ）不能指望依靠降低生產線的線速度（增加蒸鍍時間）、增（zēng）加蒸鍍（dù）層的厚度的辦法，無限度地提高蒸鍍薄膜（mó）的（de）阻隔性。

（2)化學蒸鍍（dù）中，高頻電（diàn）磁（cí）波或微波頻率的選擇，應與離子化氣氛中的離子化能量以及蒸鍍材料離子化所需要的能量相匹配，高頻電磁波一般（bān）選（xuǎn）用（yòng）13.56MHz,微波（bō）一般選用2.45MHz,真空度（dù）在10-2Pa左右即可（kě）獲得優良的蒸鍍效果，而物理蒸鍍時則（zé）需要更高的真空度，即10-2~10-3Pa或者更高的真空度（dù）。

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